静电释放带来的问题
尽管ESD发生时转移的静电总量通常很小（纳库伦级别），然而放电的能量积累在硅片上很小的一个区域内。发生在几个纳秒内的静电释放能产生超过1A的峰值电流，简直可以蒸发金属连线和穿透氧化层。放电也可能成为栅氧化层击穿的诱因。ESD带来的另一个重大问题在于，一旦硅片表面有了电荷积累，它产生的电场就能吸引带电颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片表面。电视屏幕能吸引灰尘就是一个例子。此外，颗粒越小，静电对它的吸引作用越明显。随着器件关键尺寸的缩小，ESD对更小颗粒的吸引变得重要起来，能产生致命缺陷。为减少小颗粒玷污，硅片放电必须得到控制。
