静电释放(ESD)是一种形式的玷污,它是静电荷从一个物体向另一个物体未经控制地转移,可能损坏微芯片。ESD产生于两种不同静电势的材料接触或摩擦称为静电。带过剩负电荷的原子被相邻的带正电荷的原子吸引。这种由吸引产生的电流泄放电压可以高达几万伏。
半导体制造中特别容易产生静电释放,因为硅片加工保持在较低的温度中,经典条件为40%±10%相对湿度(RH)。这种条件容易使较高级别的静电荷生成。虽然增加相对湿度可以减少静电生成,但是也会增加侵蚀带来的玷污,因而这种方法并不实用。
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